Моделирование наногетероструктур, активных и пассивных элементов, технологических операций изготовления гетероструктурных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с использованием технологических систем моделирования и проектирования элементов и
Анализ требований КД на МИС СВЧ
Выбор на основе опыта и в соответствии с ТЗ и КД материалов и типа наногетероструктуры
Моделирование наногетероструктур, определение их параметров, необходимых для расчета активных элементов (СВЧ-транзисторов, диодов) с использованием TCAD и других программных продуктов
Моделирование технологического процесса изготовления активных элементов, определение параметров ТП на основе данных моделирования
Моделирование технологических операций изготовления пассивных элементов - линий передачи, конденсаторов, резисторов, мостов, и др.
Отчет о результатах моделирования, согласование его с руководителем и передача технологу для использования при разработке ТД
Оценивать технические и экономические риски при выборе технологических процессов изготовления МИС СВЧ
Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при производстве МИС СВЧ
Основы физики гетероэпитаксиальных структур и приборов
Параметры полупроводниковых материалов
Современные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧ
Основы технологии МИС СВЧ
Методы сквозного проектирования МИС СВЧ
Единая система технологической документации (ЕСТД), нормативная документация, регламенты, принятые в организации
ГОСТ по постановке продукции на производство
Самостоятельная профессиональная деятельность, предполагающая ответственность за выбор типа гетероструктур и активных элементов, как результат выполнения собственных работ
Деятельность, направленная на подготовку заданий на конструирование МИС СВЧ